国内光电龙头公司三安光电正加速布局第三代半导体产业，或预示这个细分领域进入爆发前夜。最近两天，在昆山举办的“2017中国集成电产业促进大会高峰论坛”上，5G与化合物半导体发展前景议题备受关注。

　　有业内人士分析认为，随着5G时代到来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代宽禁带半导体材料将迎来发展机遇。三安光电、国民技术、扬杰科技、海特高新等多家上市公司均已积极布局。英飞凌（Infineon）方面预计，未来GaN将占据75%的基站射频功率器件市场。

　　5G时代，一部手机可能就需要16颗PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大规模天线（Massive MIMO）、滤波器等，这给第三代半导体带来发展机遇。在“2017中国集成电产业促进大会高峰论坛”上，多位与会嘉宾聚焦5G与化合物半导体发展前景。

　　“锐迪科在射频前端市场厚积薄发，今年营收将再次回到1亿美元，预计2018年至2019年将继续高速增长。”锐迪科助理副总裁贾斌在论坛上介绍。锐迪科主要生产移动电话通讯支持芯片，包括功率放大器、转换器和接收器等。

　　第三代半导体的节能效果尤其值得称道。据苏州能讯技术副总裁裴轶介绍，如果采用GaN功放，就会较传统的LDMOS效率提升10%。这意味着每个基站可节电50瓦，全国基站每年可节电130亿度。因此，GaN是毫米波微基站功率放大器的最佳选择。

　　QYResearch的市场研究报告显示，2016年全球射频前端市场规模为125亿美元，预计到2022年将达到259亿美元，年复合增长率为12.9%。

　　“在第三代半导体方面，三安光电将利用安芯基金，在RF射频、光通信、滤波器、电力电子等方面进行布局，目标是建设面向下一代无线通信GaN器件平台。”在本届高峰论坛上，三安光电RF市场总监陈文欣明确指出了公司具体布局方向。

　　作为光电龙头，三安光电早就大手笔布局第三代半导体。2015年6月，三安光电引入国家集成电产业投资基金（简称“大基金”），意在推动以III—V 族化合物半导体为重点的集成电业务进一步做大做强。此后，公司联合福建省、大基金等共同设立了规模500亿的福建省安芯产业投资基金合伙企业（简称“安芯基金”，首期规模75.1亿元）。

　　在今年半年报里，三安光电披露，子公司厦门市三安集成电有限公司（承担第三代半导体业务）已向47家公司提交样品，其中11颗芯片进入微量产，此外还布局了光通讯芯片、滤波器等领域。据悉，三安光电目前在第三代半导体业务上首先聚焦移动终端，产品已实现小规模量产，每月订单近百片wafer（晶圆），预计2018年至2019年将对公司业绩产生贡献。

　　扬杰科技在近期接受机构调研时表示，其碳化硅芯片技术已达到国内领先水平。早在2015年7月，扬杰科技即锚定第三代半导体，定增募资不超过10亿元，用于SiC芯片、器件研发及产业化建设等项目。公司在半年报中表示，持续推进第三代半导体项目的研发及产业化，针对650V/1200V碳化硅JBS产品，开发并改进可与硅线相互兼容的生产工艺，以增强产能结构实时调整的能动性。

　　国民技术则刚刚开始进入这个领域。公司8月15日披露，其全资子公司深圳前海国民公司与成都邛崃市人民签订《化合物半导体生态产业园项目投资协议书》，由前者组织资金，以第二、三代化合物半导体外延片材料为核心基础，在邛崃市打造化合物半导体产业链生态圈，项目总投资将不少于80亿元，预计三年初具规模。

　　此外，海特高新通过其子公司海威华芯建设6英寸的第二代/第三代半导体集成电芯片生产线。中车时代电气（中国中车子公司）在高功率SiC器件方面处于国内领先。

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